- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录1248 > TISP3082F3DR (Bourns Inc.)SURGE SUPP 66V BIDIR 8-SOIC
TISP30xxF3 (LV) Overvoltage Protector Series
Electrical Characteristics for T and G or R and G Terminals, TA = 25 ° C (Unless Otherwise Noted)
I DRM
Parameter
Repetitive peak off-
state current
Test Conditions
V D = ± V DRM , 0 ° C < T A < 70 ° C
Min
Typ
Max
± 10
Unit
μ A
V (BO)
V (BO)
I (BO)
Breakover voltage
Impulse breakover
voltage
Breakover current
dv/dt = ± 250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
dv/dt ≤ ± 1000 V/ μ s, Linear voltage ramp,
Maximum ramp value = ± 500 V
R SOURCE = 50 ?
dv/dt = ± 250 V/ms, R SOURCE = 300 ?
‘3072F3
‘3082F3
‘3072F3
‘3082F3
± 0.1
± 86
± 96
± 72
± 82
± 0.6
V
V
A
V T
I H
dv/dt
I D
On-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of
off-state voltage
Off-state current
I T = ± 5 A, t W = 100 μ s
I T = ± 5 A, di/dt = -/+30 mA/ms
Linear voltage ramp, Maximum ramp value < 0.85V DRM
V D = ± 50 V
f = 1 MHz, V d = 0.1 V r.m.s., V D = 0
± 0.15
± 5
82
± 3
± 10
140
V
A
kV/ μ s
μ A
C off
Off-state capacitance
f = 1 MHz, V d = 0.1 V r.m.s., V D = -5 V
f = 1 MHz, V d = 0.1 V r.m.s., V D = -50 V
49
25
85
40
pF
(see Notes 5 and 6)
NOTES: 6. These capacitance measurements employ a three terminal capacitance bridge incorporating a guard circuit. The third terminal is
connected to the guard terminal of the bridge.
7. Further details on capacitance are given in the Applications Information section.
Thermal Characteristics
R θ JA
Parameter
Junction to free air thermal resistance
Test Conditions
P tot = 0.8 W, T A = 25 ° C
5 cm 2 , FR4 PCB
Min
Typ
Max
160
Unit
° C/W
MARCH 1994 - REVISED SEPTEMBER 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
TISP3180F3SL
SURGE SUPP 145V BIDIR 3-SL
TISP3350H3SL
SURGE SUPP 275V BIDIR 3-SL
TISP3380F3DR
SURGE SUPP 270V BIDIR 8-SOIC
TISP4070J1BJR
PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL
TISP4070J3BJR-S
PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL
TISP4070L3LM-S
SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR
TISP4080L3AJR-S
PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL
TISP4080M3AJR-S
PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL
相关代理商/技术参数
TISP3082F3DR-S
功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP3082F3P
功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP3082F3PS
制造商:Bourns Inc 功能描述:
TISP3082F3P-S
功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP3082F3SL
功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP3082F3SLS
制造商:Bourns Inc 功能描述:
TISP3082F3SL-S
功能描述:硅对称二端开关元件 Low Voltage Dual Bidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TISP3082L
功能描述:硅对称二端开关元件 RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA